Origine du défaut de diffusion observé dans les cristaux de Ti:Al2O3 de grand diamètre obtenus par la technique de Kyropoulos.

Résumé Des monocristaux de saphir dopé au Ti de grand diamètre, obtenus par la technique de Kyropoulos le long de l'axe A, présentent une diffusion de la lumière nuisible près du plan central C. Les mesures de thermoluminescence montrent que ce défaut est associé à un niveau élevé de vacuoles d'oxygène. Les mesures de thermoluminescence montrent que ce défaut est associé à un niveau élevé de vacances d'oxygène. La topographie aux rayons X et l'imagerie par courbe d'oscillation ont été réalisées. Elles montrent que le nombre de dislocations est très faible là où se produit la diffusion, par rapport au reste du cristal, en accord avec les résultats de la modélisation numérique des contraintes thermo-élastiques pendant la croissance du cristal. Un modèle est proposé afin d'expliquer l'effet de diffusion, basé sur la précipitation de nano-vides à partir de lacunes en l'absence de dislocations.