Modulation de l'efficacité du couple de spin dans une jonction tunnel magnétique à double barrière avec une couche de contrôle du mode lecture/écriture.

Résumé Afin d'améliorer la marge de lecture/écriture dans les mémoires magnétiques à accès aléatoire à transfert de spin perpendiculaire (STT-MRAM), un concept de cellule MRAM à double jonction tunnel magnétique (MTJ) est proposé dans lequel l'efficacité STT peut être modifiée entre les modes lecture et écriture. Dans les piles conventionnelles à double jonction tunnel magnétique, la magnétisation de la couche de stockage est soumise à deux contributions STT additives, l'une provenant de la couche de référence située sous la barrière tunnel inférieure et l'autre d'une couche de polarisation supplémentaire située au-dessus de la barrière tunnel supérieure. Dans l'empilement proposé, l'aimantation de la couche de polarisation supérieure peut être commutée entre le mode de lecture et le mode d'écriture par la propagation de la paroi de domaine ou le couple orbital de spin. Cela nous permet de maximiser le STT sur la couche de stockage pendant l'écriture et de le minimiser pendant la lecture. Les avantages associés sont un courant d'écriture plus faible, une perturbation de lecture réduite, une amplitude de magnétorésistance maximale pendant la lecture, et une lecture plus rapide grâce à un courant de lecture plus important. Nous rapportons ici la démonstration expérimentale de ce concept sur des empilements perpendiculaires de double-MTJ.