Étude comparative des films minces Ga-Ge-Sb-S dopés à l'Er3+ fabriqués par pulvérisation et dépôt par laser pulsé.

Résumé Malgré le regain d'intérêt pour les verres de chalcogénures dopés aux terres rares, principalement pour les applications dans l'infrarouge moyen, peu d'études complètes ont jusqu'à présent présenté la photoluminescence de films de chalcogénures amorphes du visible à l'infrarouge moyen. Ce travail rapporte la fabrication de films minces de sulfure quaternaire luminescent par pulvérisation radiofréquence et dépôt par laser pulsé, et la caractérisation de leur composition chimique, de leur morphologie, de leur structure, de leur indice de réfraction et de leur photoluminescence Er. L'étude des durées de vie des niveaux d'ErI permet de développer des paramètres de dépôt appropriés. La dépendance de la composition, des propriétés structurelles et spectroscopiques par rapport aux paramètres de dépôt fournit un moyen de personnaliser les propriétés des films minces dopés aux ER. La rugosité de surface est très faible pour les deux méthodes de dépôt, assurant des pertes optiques de propagation raisonnables. Les effets du recuit sur la spectroscopie et la durée de vie des films de sulfure ont été évalués. La PLD semble cohérente du point de vue de la composition et largement indépendante des conditions de dépôt, mais la pulvérisation magnétron à radiofréquence semble être plus polyvalente, car on peut adapter les propriétés du film en manipulant les paramètres de dépôt. La luminescence via des microstructures de guidage d'ondes en chalcogénure dopé aux terres rares pourrait trouver des applications faciles à utiliser dans le domaine des télécommunications ou des capteurs optiques sur puce pour lesquels des sources luminescentes ou des amplificateurs fonctionnant à différentes longueurs d'onde sont nécessaires.