Mémristors spintroniques pour circuits neuromorphiques basés sur la variation angulaire de la magnétorésistance tunnel.

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Auteurs
  • MANSUETO M
  • CHAVENT A
  • AUFFRET S
  • JOUMARD I
  • VILA L
  • SOUSA Ricardo
  • BUDA PREJBEANU Liliana
  • PREJBEANU Ioan lucian
  • DIENY B
  • SOUSA R c
  • BUDA PREJBEANU L d
  • PREJBEANU I l
Date de publication
2021
Type de publication
Article de journal
Résumé Dans cette étude, un nouveau type de memristor magnétique compact est démontré.
Éditeur
Royal Society of Chemistry (RSC)
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