Films minces amorphes de Ge-Sb-Se fabriqués par co-sputtering : Propriétés et photosensibilité.

Résumé Des films minces amorphes Ge-Sb-Se ont été fabriqués par une technique de co-pulvérisation rf-magnétron en utilisant les cathodes suivantes : GeSe2, Sb2Se3, et Ge28Sb12Se60. L'influence de la composition, déterminée par spectroscopie de rayons X à dispersion d'énergie, sur les propriétés optiques a été étudiée. Les propriétés optiques ont été analysées par ellipsométrie spectroscopique à angle variable et par spectrophotométrie UV-Vis-NIR. Les résultats montrent que la plage de bande interdite optique de 1,35-2,08 eV avec un indice de réfraction correspondant allant de 3,33 à 2,36 peut être couverte de manière fiable. En outre, les propriétés morphologiques et topographiques des films pulvérisés de séléniure étudiées par microscopie électronique à balayage et microscopie à force atomique ont montré une bonne qualité des films fabriqués. En outre, la structure des films a été contrôlée par spectroscopie de diffusion Raman. Enfin, les changements irréversibles photo-induits par le biais de la modification de l'énergie de la bande interdite optique et de l'indice de réfraction des films co-frittés ont été étudiés, révélant l'effet de photoblanchiment dans les films riches en Ge lorsqu'ils sont irradiés par une lumière proche de la bande interdite sous atmosphère d'Ar. L'effet de photoblanchiment tend à diminuer avec l'augmentation de la teneur en antimoine.